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FSM晶圓厚度測(cè)量系統(tǒng)

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FSM晶圓厚度/TTV測(cè)量系統(tǒng)

產(chǎn)品時(shí)間:2023-02-20 11:11:38

簡(jiǎn)要描述:

產(chǎn)品名稱:晶圓厚度測(cè)量系統(tǒng)品牌:FSM型號(hào):FSM 413MOT關(guān)鍵詞:晶圓厚度,TTV,Warp一、簡(jiǎn)介美國(guó)Frontier Semiconductor, 簡(jiǎn)稱“FSM”,F(xiàn)SM為半導(dǎo)體、LED、太陽(yáng)能、FPD、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和MEMS應(yīng)用提供一系列先進(jìn)的計(jì)量產(chǎn)品和解決方案。在應(yīng)力測(cè)量、薄膜附著力測(cè)試、晶圓形貌計(jì)量和電氣表征方面擁有超過(guò)25年的經(jīng)驗(yàn)。其率先推出基于...

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品名稱:晶圓厚度測(cè)量系統(tǒng)

品牌:FSM

型號(hào):FSM 413MOT

關(guān)鍵詞:晶圓厚度,TTV,Warp

一、簡(jiǎn)介

美國(guó)Frontier Semiconductor, 簡(jiǎn)稱“FSM”,F(xiàn)SM為半導(dǎo)體、LED、太陽(yáng)能、FPD、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和MEMS應(yīng)用提供一系列先進(jìn)的計(jì)量產(chǎn)品和解決方案。在應(yīng)力測(cè)量、薄膜附著力測(cè)試、晶圓形貌計(jì)量和電氣表征方面擁有超過(guò)25年的經(jīng)驗(yàn)。其基于商業(yè)化應(yīng)用的激光掃描光學(xué)杠桿(Optilever)技術(shù),主要應(yīng)用于薄膜應(yīng)力和晶圓彎曲測(cè)量。

FSM413非接觸式厚度測(cè)量,可以測(cè)量背面研磨減薄和刻蝕后的極薄晶圓,也可測(cè)量粘附在藍(lán)膜或者其他載體上的有圖形或凸起的晶圓,可應(yīng)用于堆疊芯片和微機(jī)電系統(tǒng)。

獨(dú)特優(yōu)勢(shì):
       FSM413回波探頭傳感器使用具有專利的紅外(IR)干涉測(cè)量技術(shù),可以直接和精確測(cè)量從厚到極薄的晶圓襯底厚度變化和總體厚度變化。配置單探頭系統(tǒng),可以測(cè)量一些對(duì)紅外線透明的材料,例如Si, GaAs, InP, SiC, 玻璃,石英和一些聚合物,還可以高精度測(cè)量常規(guī)有圖形、有膠帶、凸起或者鍵合在載體上晶圓的襯底厚度。配置雙探頭系統(tǒng)時(shí),還提供晶圓整體厚度測(cè)量(包括襯底厚度和在光不能穿透的情況下的圖形高度厚度)。選配功能可以測(cè)量溝槽深度和通孔深度(包括微機(jī)電中的高深寬比的溝槽和通孔)。另外微機(jī)電應(yīng)用中薄膜厚度測(cè)量和凸塊高度測(cè)量也可以選配。

基于FSM Echoprobe紅外線干涉測(cè)量專利技術(shù),提供非接觸式芯片厚度和深度測(cè)量方法。

Echoprobe技術(shù)利用紅外光束探測(cè)晶圓。 
Echoprobe可用于測(cè)量多晶硅、藍(lán)寶石、其它復(fù)合物半導(dǎo)體,例如GaAs, InP, GaP, GaN    等。 
對(duì)晶圓圖形襯底切割面進(jìn)行直接且精確的測(cè)量。      

二、技術(shù)規(guī)格

       晶圓尺寸:8寸/12寸(兼容以下)

       測(cè)量原理:紅外干涉

       測(cè)晶圓厚度:?jiǎn)翁筋^晶圓厚度測(cè)量范圍20-1000μm,雙探頭測(cè)厚度可測(cè)試到50μm-3mm

       厚度、TTV測(cè)量精度:≤0.2μm;

       厚度、TTV測(cè)量重復(fù)性:≤0.7μm

2D/3D結(jié)果顯示

帶圖案和帶圖案晶圓同樣適用。

三、應(yīng)用

主要應(yīng)用在研磨芯片厚度控制、芯片后段封裝、TSV(硅通孔技術(shù))、(MEMS)微機(jī)電系統(tǒng)、 側(cè)壁角度測(cè)量等。針對(duì)LED行業(yè), 可用作檢測(cè)藍(lán)寶石或碳化硅片厚度及TTV 。



 


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