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產(chǎn)品名稱：晶圓厚度/非接觸電阻率測(cè)試儀

品牌：E+H Metrology

型號(hào)：MX608系列

關(guān)鍵詞：電阻率、厚度、TTV

一、簡(jiǎn)介

德國(guó) E+H Metrology，簡(jiǎn)稱E+H，成立于1968年，位于德國(guó)卡爾斯魯厄。E+H專(zhuān)注于半導(dǎo)體行業(yè)、微電子、機(jī)械工程等領(lǐng)域表面量測(cè)設(shè)備定制化開(kāi)發(fā)。MX608 設(shè)計(jì)用于表征硅晶圓、碳化硅等。它結(jié)合了非接觸式厚度、電阻率和 P/N 傳感器。

二、技術(shù)規(guī)格

晶圓尺寸：4/5/6/8寸

厚度范圍：500-800 μm（300-600 μm可選）

最大Warp ：100 μm

電阻率：0.001 – 200 Ohm?cm

厚度測(cè)量

準(zhǔn)確性：±0.3 μm

TTV準(zhǔn)確性：±0.1 μm

精度：±0.05 μm

電阻率測(cè)量：

精度   0.001 – 30 Ohm?cm    ±1 %

         30 - 100 Ohm?cm      ± 2 %

         100 - 200 Ohm?cm    ± 5 %

測(cè)試時(shí)間：

1 Point (center)            7 s

1 Scan for 8” = 180 points        10 s

18 Scans each 10° for 8” = 3240 points     ca. 3 min

三、應(yīng)用

可測(cè)硅片，SiC， GaN等各類(lèi)導(dǎo)電襯底和絕緣襯底導(dǎo)電外延，厚度+TTV+電阻率(Mapping)